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CA3252E	文件：53.2 Kbytes Page：6 Pages	QuadGatedNon-InvertingPowerDriver Description TheCA3252isusedtointerfacelow-levellogictohighcurrentloads.EachPowerDriverhasfourinvertingswitchesconsistingofaninvertinglogicinputstageandaninvertinglow-sidedriveroutputstage.Allinputsare5VTTL/CMOSlogiccompatibleandhaveacommonEnableinput	Intersil Intersil Corporation	Intersil
CA3252M	文件：53.2 Kbytes Page：6 Pages	QuadGatedNon-InvertingPowerDriver Description TheCA3252isusedtointerfacelow-levellogictohighcurrentloads.EachPowerDriverhasfourinvertingswitchesconsistingofaninvertinglogicinputstageandaninvertinglow-sidedriveroutputstage.Allinputsare5VTTL/CMOSlogiccompatibleandhaveacommonEnableinput	Intersil Intersil Corporation	Intersil
CEA3252	文件：989.77 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFETs •175°CMaximumJunctionTemperature •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEA3252	文件：139.22 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,5A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=45mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-89package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED3252	文件：111.36 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,25A,RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=39mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM3252	文件：108.81 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,7.5A,RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM3252	文件：1.00897 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronousRectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEM3252	文件：362.49 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,7.5A,RDS(ON)=28mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM3252L	文件：569.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,8A,RDS(ON)=29mW@VGS=10V. RDS(ON)=36mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=55mW@VGS=2.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM3252L	文件：347.72 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,8A,RDS(ON)=29mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=36mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=55mΩ@VGS=2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■Surfacemount	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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产品属性

产品编号：
ADM3252EABCZ
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
隔离器 > 数字隔离器
系列：
IsoPower®, iCoupler®
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
技术：
磁耦合
类型：
RS232
隔离式电源：
是
输入 - 侧 1/侧 2：
2/2
通道类型：
单向
电压 - 隔离：
2500Vrms
共模瞬变抗扰度（最小值）：
25kV/µs
数据速率：
460Kbps
上升/下降时间（典型值）：
2.5ns，2.5ns
电压 - 供电：
3V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-LBGA，CSPBGA
供应商器件封装：
44-CSPBGA（12x12）
描述：
DGTL ISO 2500VRMS RS232 44CSPBGA

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