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ADL8142ACPZN	文件：1.47167 Mbytes Page：20 Pages	GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 23 GHz to 31 GHz GENERAL DESCRIPTION The ADL8142 is a gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), low noise wideband amplifier that operates from 23 GHz to 31 GHz. The ADL8142 provides a typical gain of 27 dB, a 1.6 dB typic 文件：1.47167 Mbytes 页数：20 Pages	AD 亚德诺	AD
ADL8142ACPZN	文件：1.414 Mbytes Page：20 Pages	GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 23 GHz to 31 GHz FEATURES ► Low noise figure: 1.6 dB typical at 27 GHz to 31 GHz ► Single positive supply (self biased) ► High gain: 27 dB typical at 27 GHz to 31 GHz ► High OIP3: 21.5 dBm typical at 27 GHz to 31 GHz ► RoHS-compliant, 2 mm × 2 mm, 8-lead LFCSP APPLICATIONS ► Satellite communication ► Telec 文件：1.414 Mbytes 页数：20 Pages	AD 亚德诺	AD
ADL8142ACPZN-CSL	文件：214.76 Kbytes Page：8 Pages	GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 23 GHz to 31 GHz GENERAL DESCRIPTION The ADL8142S-CSL is a gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), low noise wideband amplifier that operates from 23 GHz to 31 GHz. The ADL8142S-CSL provides a typical gain of 27 dB, a 1. 文件：214.76 Kbytes 页数：8 Pages	AD 亚德诺	AD
ADL8142ACPZN-R7	文件：1.47167 Mbytes Page：20 Pages	GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 23 GHz to 31 GHz GENERAL DESCRIPTION The ADL8142 is a gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), low noise wideband amplifier that operates from 23 GHz to 31 GHz. The ADL8142 provides a typical gain of 27 dB, a 1.6 dB typic 文件：1.47167 Mbytes 页数：20 Pages	AD 亚德诺	AD
ADL8142ACPZN-R7	文件：1.414 Mbytes Page：20 Pages	GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 23 GHz to 31 GHz FEATURES ► Low noise figure: 1.6 dB typical at 27 GHz to 31 GHz ► Single positive supply (self biased) ► High gain: 27 dB typical at 27 GHz to 31 GHz ► High OIP3: 21.5 dBm typical at 27 GHz to 31 GHz ► RoHS-compliant, 2 mm × 2 mm, 8-lead LFCSP APPLICATIONS ► Satellite communication ► Telec 文件：1.414 Mbytes 页数：20 Pages	AD 亚德诺	AD
ADL8142ACPZN-R7-CSL	文件：214.76 Kbytes Page：8 Pages	GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 23 GHz to 31 GHz GENERAL DESCRIPTION The ADL8142S-CSL is a gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), low noise wideband amplifier that operates from 23 GHz to 31 GHz. The ADL8142S-CSL provides a typical gain of 27 dB, a 1. 文件：214.76 Kbytes 页数：8 Pages	AD 亚德诺	AD
ADL8142ACPZN-CSL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-VFDFN 裸露焊盘，CSP；包装：托盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：27 31 GHZ LNA	AD 亚德诺	AD
ADL8142ACPZN-R7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-VFDFN 裸露焊盘，CSP；包装：托盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：23 31 GHZ GAAS MMIC LNA	AD 亚德诺	AD
ADL8142ACPZN-R7-CSL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-VFDFN 裸露焊盘，CSP；包装：托盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：27 31 GHZ LNA	AD 亚德诺	AD

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深圳市高捷芯城科技有限公司	ADL8142ACPZN	ADI(亚德诺)	25+	8-LFCSP(2x2)	11580	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
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