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ADL6337-EVALZD	文件：2.84715 Mbytes Page：53 Pages	35 dB Gain, 500 MHz to 5200 MHz Transmit VGA FEATURES ►Single-channel,high-linearitytransmitVGAforRFDACs,transceivers, andSoCstopoweramplifierinterface ►Single5Vsupply ►Multipleversionscoveringfrequenciesof500MHzto5200MHz ►Powergain:37.4dB(ADL6337-A),35.5dB(ADL6337-B),34dB (ADL6337-C),35.5dB(ADL6	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AU6337	文件：629.42 Kbytes Page：25 Pages	USB2.0SD/MMC/MSSingle/DualLUNCardReadercontroller [AlcorMicro,Corp.] Description AU6337isanUSB2.0high-speedtransmissioncontroller,whichisdesignedasabridgebetweenUSBandSD/MScompatibleflashcardinterface,suchasSD,HS-SD,MMC,HS-MMC,RS-MMC,MMCmicro,MS,MSProandMSDuo…etc.AU6337canreaddigitalcontentsstored	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
CD6337	文件：322.88 Kbytes Page：3 Pages	0.5WZenerDiode Features SharpReverseCharacteristics LowReverseCurrentLevels HighReliabilityGoldBackMetal HighReliabilityTestedGrades.	SS Silicon Supplies	SS
CPH6337	文件：56.42 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •Ultrahigh-speedswitching •1.8Vdrive	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH6337	文件：484.95 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •HighSp	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CPH6337-TL-E	文件：559.67 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH6337-TL-E	文件：484.95 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •HighSp	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CPH6337-TL-W	文件：484.95 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •HighSp	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
EN6337QA	文件：1.55962 Mbytes Page：23 Pages	IntegratedInductor	AlteraAltera Corporation 阿尔特阿尔特拉公司	Altera
EN6337QI	文件：1.71054 Mbytes Page：23 Pages	IntegratedInductor	AlteraAltera Corporation 阿尔特阿尔特拉公司	Altera

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