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NTD5802N	文件：130.24 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,SingleN?묬hannel,101ADPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5802N	文件：135.5 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,SingleN?묬hannel,101ADPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5802N	文件：1.32814 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NTD5802N	文件：299.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=101A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.4mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD5802NS	文件：1.57382 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
NTE5802	文件：59.17 Kbytes Page：3 Pages	NTE5800thruNTE5809AxialLeadStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp,DO27 Description: TheNTE5800throughNTE5809siliconrectifiersaredesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop	NTE NTE Electronics	NTE
NVD5802N	文件：130.24 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,SingleN?묬hannel,101ADPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5802N	文件：261.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=101A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.4mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PT5802	文件：203.27 Kbytes Page：11 Pages	18-A5-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
PT5802	文件：227.11 Kbytes Page：13 Pages	18AOutputCurrent	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

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