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QBH-1423PM	文件：39.88 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
RN1423	文件：322.45 Kbytes Page：8 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit AndDriverCircuitApplications •Highcurrenttype(IC(max)=800mA) •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess •LowVCE(sat) •ComplementarytoRN2401~RN2406	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN1423	文件：547.59 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
S1423	文件：88.2 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPNPEPITAXIALTYPE(PCTPROCESS) GENERALPURPOSEAMPLIFIERANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS. FEATURES: -ExcellenthFELinearity:hFE(0.1mA)hFE(2mA) =0.95(Typ.) .DesignedforComplementaryUsewithS1420(hFE=70700 ; .SmallCollectorOutputCapacitance:Cob=4.5pF(Max.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SCV1423	文件：308.02 Kbytes Page：16 Pages	BoostConverterSync-Rect,PFM,DC-DC,True-Cutoff,Ring-Killer400mA NCP1423isamonolithicmicropowerhighfrequencystep−up switchingconverterICspeciallydesignedforbatteryoperatedhand −heldelectronicproducts.ItintegratesSynchronousRectifierfor improvingefficiencyaswellaseliminatingtheexternalSchottky Diode.Highswitchingfrequency(up	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SD1423	文件：54.76 Kbytes Page：4 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORS800-960MHzBASESTATIONAPPLICATIONS DESCRIPTION TheSD1423isagoldmetallizationepitaxialsiliconNPNplanartransistorusingdiffusedemitterballastresistorsforhighlinearityClassABoperationforcellularbasestationapplications.TheSD1423isdesignedasamediumpoweroutputdeviceorasthedriverfortheSD1424. ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SFT1423	文件：1.08624 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SFT1423	文件：285.7 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance. •4Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SFT1423	文件：409.18 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,2A,4.9,SingleTP/TP-FA N-ChannelPowerMOSFET 500V,2A,4.9Ω,SingleTP/TP-FA Features •ON-resistance •Protectiondiodein •4Vdrive	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SFT1423-TL-E	文件：409.18 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,2A,4.9,SingleTP/TP-FA N-ChannelPowerMOSFET 500V,2A,4.9Ω,SingleTP/TP-FA Features •ON-resistance •Protectiondiodein •4Vdrive	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
ADG1423BRMZ
功能描述：
IC SW SPST 2.1OHM RON 10MSOP
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
系列：
iCMOS®
特色产品：
MicroPak?
标准包装：
1
系列：
-
功能：
开关
电路：
2 x SPST - NC
导通状态电阻：
500 毫欧
电压电源：
单电源电压 -
电源，单路/双路(±)：
1.4 V ~ 4.3 V 电流 -
电源：
150nA
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-XFDFN
供应商设备封装：
8-XSON，SOT833-1(1.95x1）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
568-5557-6

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