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FTC4377C	文件：376.5 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTC4377D	文件：376.5 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HETC4377	文件：287.97 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
INN4377F	文件：3.57463 Mbytes Page：54 Pages	DigitallyControllableOff-LineCV/CCZVSFlybackSwitcherICwith750VPowiGaN,ActiveClampDriveandSynchronousRectification HighlyIntegrated,CompactFootprint •Quasi-Resonant(QR)orzerovoltageswitching(ZVS)flyback controllerwhenpairedwithClampZeroTM(activeclampIC) •UniquecontrolalgorithmtoenableZVSinbothDCMandCCM •Robust750VPowiGaNTMprimaryswitch •Steady-stateswitchingfrequency	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
KTC4377	文件：501.25 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES HighDCCurrentGainandExcellenthFELinearity :hFE(1)=140600(VCE=1V,IC=0.5A) :hFE(2)=70(Min.),140(Typ.)(VCE=1V,IC=2A). Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(Max).(IC=2A,IB=50mA). Smallflatpackage. APPLICATIONS Poweramplifierapplication. Powerswitchingapplication.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
KTC4377	文件：175.13 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •Lowvoltage	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
KTC4377	文件：54.25 Kbytes Page：1 Pages	EpitaxialPlanarNPNTransistor ■Features ●CollectorPowerDissipation:PC=500mW ●CollectorCurrent:IC=2A	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KTC4377	文件：1.19056 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Lowvoltage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
KTC4377	文件：196.91 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighDCCurrentGainandExcellenthFELinearity :hFE(1)=140600(VCE=1V,IC=0.5A) :hFE(2)=70(Min.),140(Typ.)(VCE=1V,IC=2A). ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(Max).(IC=2A,IB=50mA). ●Smallflatpackage. APPLICATIONS ●Poweramplifierapplication. ●Powerswitc	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
KTC4377	文件：128.09 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:30V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

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