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B303N	文件：1.32243 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforMitsubishiAlternator	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
B303-N	文件：45.86 Kbytes Page：2 Pages	BLOCKTYPEAUTOMOTIVEPECTIFIER	MIC MIC GROUP RECTIFIERS	MIC
B303P	文件：1.31658 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforMitsubishiAlternator	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
B303P	文件：1.32243 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforMitsubishiAlternator	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
B303-P	文件：45.86 Kbytes Page：2 Pages	BLOCKTYPEAUTOMOTIVEPECTIFIER	MIC MIC GROUP RECTIFIERS	MIC
BA303	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BAV303	文件：90.97 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,HighVoltage FEATURES •Siliconepitaxialplanardiodes •Savingspace •Hermeticsealedparts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV303	文件：120.61 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiode Features ♦SiliconEpitaxialPlanarDiodes ♦Savingspace ♦Hermeticsealedparts ♦FitsontoSOD323/SOT23footprints ♦Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100...BAV103/BAV200...BAV203 Applications ✦Generalpurpose MechanicalData ✦Case:MicroMELFGlassCase ✦Weigh	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
BAV303	文件：1.02278 Mbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE Features ●Hermeticsealedparts ●Savingspace ●SiliconEpitaxialPlanarDiodes	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BAV303	文件：329.049 Kbytes Page：2 Pages	250VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
BAV303	文件：135.81 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,HighVoltage FEATURES •Siliconepitaxialplanardiodes •Savingspace •Hermeticsealedparts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleasese	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV303	文件：85.65 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGESURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAV303	文件：716.59 Kbytes Page：3 Pages	SwitchingDiodes Features •SavingSpace •SiliconEpitaxialPlanarDiodes •HermeticSealedParts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •ElectricaldataidenticalwiththedevicesBAV100…BAV103 •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSComplian	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BAV303	文件：61.09 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodes FEATURES •Siliconepitaxialplanardiodes •Savingspace •Hermeticsealedparts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleasese	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV303	文件：138.2 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODE Features FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications HighConductance FitsonSOD-323/SOT-23Footprint	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BAV303-TR	文件：135.81 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,HighVoltage FEATURES •Siliconepitaxialplanardiodes •Savingspace •Hermeticsealedparts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleasese	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BB-303	文件：448.79 Kbytes Page：1 Pages	BaseboardforTMCM-303/TMCM-343	TRINAMICTRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG. TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.	TRINAMIC
BB303M	文件：102.66 Kbytes Page：14 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICVHF/UHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highforwardtransferadmittance;(\|yfs\|=42mStyp.atf=1kHz) •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto250VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackages;MPAK-	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BC303	文件：122.29 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC303	文件：56.45 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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