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BS806B	文件：167.58 Kbytes Page：21 Pages	TouchKey TheBS801B/02B/04B/06B/08Barearangeof1to8keytouchkeydeviceswhichcandetecthumanbodycontactusingexternaltouchpads.Thehighlevelofdeviceintegrationenableapplicationstobeimplementedwithaminimumnumberofexternalcomponents. Operatingvoltage:2.2V~5.5V Ultra	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰合泰半导体	Holtek
BS806C	文件：181.22 Kbytes Page：21 Pages	TouchKey GeneralDescription TheBS801C/02C/04C/06C/08Carearangeof1to8keytouchkeydeviceswhichcandetecthumanbodycontactusingexternaltouchpads.Thehighlevelofdeviceintegrationenableapplicationstobeimplementedwithaminimumnumberofexternalcomponents. Features Op	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰合泰半导体	Holtek
BSL806N	文件：241.69 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS806N	文件：251.6 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS806N	文件：247.24 Kbytes Page：3 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
BSS806N	文件：160.8 Kbytes Page：3 Pages	OptiMOS2Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	TYSEMITY Semiconductor Co., Ltd 台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司	TYSEMI
BSS806NE	文件：572.61 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •ESDprotected •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BU806	文件：59.97 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMVOLTAGENPNFASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION ThedevicesaresiliconEpitaxialPlanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationwithintegratedbase-emitterspeed-updiode,mountedinTO-220plasticpackage. Theycanbeusedinhorizontaloutputstagesof110oCRTvideodisplays. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BU806	文件：104.59 Kbytes Page：4 Pages	8.0AMPEREDARLINGTONNPNPOWERTRANSISTORS60WATTS200VOLTS ThisDarlingtontransistorisahighvoltage,highspeeddeviceforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sandCRT’s. •HighVoltage:VCEV=330or400V •FastSwitchingSpeed: tc=1.0µs(max) •LowSaturationVoltage: VCE(sat)=1.5V(max) •PackagedinJEDECTO–220AB •Da	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BU806	文件：110.55 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(8.0A,150-200V,60W)	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC

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详细参数

型号：
ADB806
制造商：
DEC
制造商全称：
DEC
功能描述：
8 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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