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ADA4800ACPZ-RL	文件：221.18 Kbytes Page：16 Pages	Low Power, High Speed CCD Buffer Amplifier GENERALDESCRIPTION TheADA4800isvoltagebufferintegratedwithanactiveload.Thebufferisalowpower,highspeed,lownoise,highslewrate,fastsettling,fixedgainof1monolithicamplifierforchargecoupleddevice(CCD)applications. FEATURES Integratedactiveloadandgain	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AO4800	文件：325.01 Kbytes Page：6 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4800usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinbuckconverters. Features VDS(V)=30V ID=6.9A RDS(ON)	ALPHA Alpha Industries	ALPHA
AO4800	文件：76.24 Kbytes Page：5 Pages	PlasticEncapsulatedDevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4800	文件：1.53608 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AO4800	文件：1.02706 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SetTopBox •LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4800A	文件：110.31 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4800AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinbuckconverters.StandardProductAO4800AisPb-free(meetsROHS&Sony259sp	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4800AL	文件：110.31 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4800AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinbuckconverters.StandardProductAO4800AisPb-free(meetsROHS&Sony259sp	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4800B	文件：114.37 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4800B/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinbuckconverters.StandardProductAO4800B/LisPb-free(meetsROHS&Sony25	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4800B	文件：1.024819 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SetTopBox •LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4800B	文件：575.61 Kbytes Page：6 Pages	30VDualN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
ADA4800ACPZ-RL
功能描述：
IC AMP CCD BUFFER HS LP 6LFCSP
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
标准包装：
160
放大器类型：
通用
电路数：
4
输出类型：
满摆幅
转换速率：
10 V/µs
增益带宽积：
9MHz
-3db带宽：
- 电流 -
输入偏压：
1pA 电压 -
输入偏移：
250µV 电流 -
电源：
730µA 电流 -
输出/通道：
28mA 电压 -
电源，单路/双路(±)：
2.7 V ~ 5.5 V，±1.35 V ~ 2.75 V
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
16-SOIC N
包装：
管件

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