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BR8205	文件：1.41893 Mbytes Page：6 Pages	N-channelDoubleMOSFETinaSOT23-6PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
CEG8205	文件：123.43 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,4.5A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=2.5V. ■SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TSSOP-8forSurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEG8205	文件：939.86 Kbytes Page：8 Pages	DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeOptionAvailable •TrenchFET®PowerMOSFETs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEG8205A	文件：123.47 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,6A,RDS(ON)=21mΩ(typ)@VGS=4.5V. RDS(ON)=30mΩ(typ)@VGS=2.5V. ■SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TSSOP-8forSurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEG8205A	文件：653.37 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,6A,RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=35mW@VGS=2.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TSSOP-8forSurfaceMountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEH8205	文件：664.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,5.2A,RDS(ON)TYP=25mW@VGS=4.5V. RDS(ON)TYP=30mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. Leadfreeproductisacquired. Halogenfree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CJL8205	文件：709.13 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CJS8205	文件：1.78498 Mbytes Page：5 Pages	DualN-channelMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CMLM8205	文件：589.44 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTP-CHANNELMOSFETANDLOWVFSILICONSCHOTTKYDIODE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMLM8205isaMultiDiscreteModule™consistingofasingleP-Channelenhancement-modeMOSFETandalowVFSchottkydiodepackagedinaspacesavingSOT-563surfacemountcase.Thisdeviceisdesignedforsmallsignalgeneralpurposeapplicationswheresize	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CUE8205BK	文件：431.02 Kbytes Page：2 Pages	82SeriesMultipurposeABSEnclosure Productoverview Multi-purposeABScases,designedforabroad rangeofapplications. •Universalplasticenclosurewithscrew fastening •Availablein26sizesintwocolours;whiteand black •Suitableformeasuringinstruments,testing, devices,wirelesscommunicationsdevices, med	CAMDENBOSS CamdenBoss Ltd.	CAMDENBOSS

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详细参数

型号：
AD8205WYRZ-RL
功能描述：
IC AMP DIFF 42V SGL 8SOIC
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
标准包装：
1,000
放大器类型：
电压反馈
电路数：
4
输出类型：
满摆幅
转换速率：
33 V/µs
增益带宽积：
20MHz
-3db带宽：
30MHz 电流 -
输入偏压：
2nA 电压 -
输入偏移：
3000µV 电流 -
电源：
2.5mA 电流 -
输出/通道：
30mA 电压 -
电源，单路/双路(±)：
4.5 V ~ 16.5 V，±2.25 V ~ 8.25 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
14-SOIC
包装：
带卷(TR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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