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APT8014JFLL	文件：256.769 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7®FREDFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalo	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT8014JFLL	文件：71.49 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7™FREDFET PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7TMbysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7TMcombineslowerconductionandswitchinglossesa	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8014JLL	文件：95.79 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7®MOSFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalon	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
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APT8014JLL	文件：564.92 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·BatteryChargers ·Highspeedpowerswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BY8014	文件：55.07 Kbytes Page：10 Pages	Fasthigh-voltagesoft-recoverycontrolledavalancherectifiers DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction. Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. Thepackageisdesignedtobeusedinaninsulatingmediumsuchasresin,oilorSF6gas. FEATURES	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
FDPC8014AS	文件：555.84 Kbytes Page：12 Pages	MOSFET??Dual,N-Channel,POWERTRENCH,PowerClip,Asymmetric25V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDPC8014S	文件：437.42 Kbytes Page：13 Pages	PowerTrenchPowerClip	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FKD8014	文件：609.52 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch80VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKD8014isthehighcelldensitytrenched N-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSON andgatechargeformostofthesynchronousbuck converterapplications. TheFKD8014meettheRoHSandGreenProduct requirement,100EASguaranteedwithfull functionreliabilityapproved.	FETEKFETek Technology Corp. 台湾东沅东沅科技股份有限公司	FETEK
FKR8014	文件：605.64 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch80VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKR8014isthehighcelldensitytrenched N-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSON andgatechargeformostofthesynchronousbuck converterapplications. TheFKR8014meettheRoHSandGreenProduct requirement,100EASguaranteedwithfull functionreliabilityapproved.	FETEKFETek Technology Corp. 台湾东沅东沅科技股份有限公司	FETEK

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详细参数

型号：
AD8014ARZ
功能描述：
IC OPAMP CF LP LN LDIST 8SOIC
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
产品培训模块：
Differential Circuit Design Techniques for Communication Applications
标准包装：
1
放大器类型：
RF/IF 差分
电路数：
1
输出类型：
差分
转换速率：
9800 V/µs
增益带宽积：
-
-3db带宽：
2.9GHz 电流 -
输入偏压：
3µA 电压 -
输入偏移：
- 电流 -
电源：
40mA 电流 -
输出/通道：
- 电压 -
电源，单路/双路(±)：
3 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
16-VQFN 裸露焊盘，CSP
供应商设备封装：
16-LFCSP-VQ
包装：
剪切带(CT)
产品目录页面：
551(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
ADL5561ACPZ-R7CT

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