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AD783JR	文件：131.37 Kbytes Page：8 Pages	Complete Very High Speed Sample-and-Hold Amplifier PRODUCTDESCRIPTION TheAD783isahighpseed,monolithicsample-and-holdamplifier(SHA).TheAD783offersatypicalacquisitiontime250nsto0.01.TheAD783isspecifiedandtestedforholdmodetotalharmonicdistortionwithinputfrequenciesupto100kHz.TheAD783isconfiguredasaunity	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD783JR	文件：610.39 Kbytes Page：8 Pages	Complete Very High Speed Sample-and-Hold Amplifier PRODUCTDESCRIPTION TheAD783isahighpseed,monolithicsample-and-holdamplifier(SHA).TheAD783offersatypicalacquisitiontime250nsto0.01.TheAD783isspecifiedandtestedforholdmodetotalharmonicdistortionwithinputfrequenciesupto100kHz.TheAD783isconfiguredasaunity	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD783JRZ	文件：610.39 Kbytes Page：8 Pages	Complete Very High Speed Sample-and-Hold Amplifier PRODUCTDESCRIPTION TheAD783isahighpseed,monolithicsample-and-holdamplifier(SHA).TheAD783offersatypicalacquisitiontime250nsto0.01.TheAD783isspecifiedandtestedforholdmodetotalharmonicdistortionwithinputfrequenciesupto100kHz.TheAD783isconfiguredasaunity	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG783	文件：169.99 Kbytes Page：8 Pages	2.5ohmQuadSPSTSwitchesinChipScalePackage GENERALDESCRIPTION TheADG781,ADG782,andADG783aremonolithicCMOSdevicescontainingfourindependentlyselectableswitches.Theseswitchesaredesignedonanadvancedsubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationandhighswitchingspeed,lowonresistance,lowleakagecurrentsand	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG783BCP	文件：169.99 Kbytes Page：8 Pages	2.5ohmQuadSPSTSwitchesinChipScalePackage GENERALDESCRIPTION TheADG781,ADG782,andADG783aremonolithicCMOSdevicescontainingfourindependentlyselectableswitches.Theseswitchesaredesignedonanadvancedsubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationandhighswitchingspeed,lowonresistance,lowleakagecurrentsand	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
BA783	文件：33.63 Kbytes Page：1 Pages	BandswitchingDiodes Features ●SiliconEpitaxialPlanarDiodeSwitches ●Forhigh-speedswitchingapplicationandTVtunersinthefrequencyrange of501000MHz.Thedynamicforwardresistanceisconstantandverysmall overawiderangeoffrequencyandforwardcurrent.Thereversecapacitanceis also	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BA783	文件：81.8 Kbytes Page：2 Pages	BandswitchingDiodes FEATURES ♦SiliconEpitaxialPlanarDiodeSwitches ♦ForelectronicbandswitchinginradioandTVtunersinthefrequencyrangeof50…1000MHz.Thedynamicforwardresistanceisconstantandverysmalloverawiderangeoffrequencyandforwardcurrent.Thereversecapacitanceisalsosma	GE GE Industrial Company	GE
BA783	文件：75.11 Kbytes Page：3 Pages	BandSwitchingDiodes DESCRIPTION ForelectricbandswitchinginradioandTVtunersinthefrequencyrangeof(50to1000)MHz.Thedynamicforwardresistanceisconstantandverysmalloverawiderangeoffrequencyandforwardcurrent.Thereversecapacitanceisalsosmallandlargelyindependentofthereversevo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BA783-G	文件：77.54 Kbytes Page：3 Pages	BandSwitchingDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BA783S	文件：81.94 Kbytes Page：2 Pages	BandswitchingDiodes FEATURES ♦SiliconEpitaxialPlanarDiodeSwitches ♦ForelectronicbandswitchinginradioandTVtunersinthefrequencyrangeof50…1000MHz.Thedynamicforwardresistanceisconstantandverysmalloverawiderangeoffrequencyandforwardcurrent.Thereversecapacitanceisalsosmalland	GE GE Industrial Company	GE

详细参数

型号：
AD783JR
功能描述：
IC AMP SAMPLE HOLD LP 5MA 8SOIC
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
标准包装：
2,500
系列：
Excalibur™
放大器类型：
J-FET
电路数：
1
输出类型：
-
转换速率：
45 V/µs
增益带宽积：
10MHz
-3db带宽：
- 电流 -
输入偏压：
20pA 电压 -
输入偏移：
490µV 电流 -
电源：
1.7mA 电流 -
输出/通道：
48mA 电压 -
电源，单路/双路(±)：
4.5 V ~ 38 V，±2.25 V ~ 19 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SOIC
包装：
带卷(TR)

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