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C6312	文件：73.12 Kbytes Page：1 Pages	2C187/.0152BCTCPVCUNJACKETEDSound,Alarm&SecurityCable	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CD6312	文件：322.88 Kbytes Page：3 Pages	0.5WZenerDiode Features SharpReverseCharacteristics LowReverseCurrentLevels HighReliabilityGoldBackMetal HighReliabilityTestedGrades.	SS Silicon Supplies	SS
CPH6312	文件：30.72 Kbytes Page：4 Pages	High-SpeedSwitchingApplications Features •LowON-resistance. •High-speedswitching. •4Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
DM6312P	文件：35.7387 Mbytes Page：42 Pages	MAGNETICPOWDERCORES	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
DNB6312	文件：131.78 Kbytes Page：7 Pages	RectifierDiode FEATURES ■DoubleSideCooling ■HighSurgeCapability APPLICATIONS ■Rectification ■FreewheelDiode ■DCMotorControl ■PowerSupplies ■Welding ■BatteryChargers	Dynex Dynex Semiconductor	Dynex
FDC6312P	文件：88.81 Kbytes Page：5 Pages	DualP-Channel1.8VPowerTrenchSpecifiedMOSFET GeneralDescription TheseP-Channel1.8VspecifiedMOSFETsareproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •–2.3A,–20V.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDC6312P	文件：1.08644 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDC6312P	文件：2.10508 Mbytes Page：4 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET Features Vps=-20V,Ip=-3A Ros(on)=120mQ@Ves=-2.5V(Typ) Ros(on)=85mQ@Ves=-4.5V(Typ) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
HL6312G	文件：35.09 Kbytes Page：6 Pages	AlGaInPLaserDiodes	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HL6312G	文件：93.61 Kbytes Page：4 Pages	AlGaInPLaserDiodes	OPNEXT Opnext. Inc.	OPNEXT

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详细参数

型号：
AD6312
功能描述：
显示驱动器和控制器 1/4 - 1/11 DUTY
RoHS：
否
制造商：
Panasonic Electronic Components
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-44
封装：
Reel

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