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BD136	文件：1.07635 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD135,BD137AndBD139	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BD136	文件：180.8 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS PNPEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS DesignedforuseasAudioAmplifierandDriversUtilizing ComplementaryBD135,BD137,BD139	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BD136	文件：126.97 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1.5A OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BD136	文件：47.23 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •ComplementtoBD135,BD137andBD139respectively Applications •MediumPowerLinearandSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD136	文件：47.23 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications Features •ComplementtoBD135,BD137andBD139respectively Applications •MediumPowerLinearandSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD136	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BD136	文件：192.1 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain- :hFE=40(Min)@lc=-0.15A •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(sus)=-45V(Min) •ComplementtotypeBD135 APPLICATIONS •Designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizing complementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD136	文件：1.9422 Mbytes Page：14 Pages	GERMANIOVETRANZISTORY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BD136	文件：194.48 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES HighCurrent	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
BD136	文件：315.28 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Applications •ComplementtoBD135,BD137andBD139Respectively •ThesearePb−FreeDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
AD136IV
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | PNP | 22V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AD136IV供应商更新时间2025-6-23 17:53:00

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