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APT8015	文件：75.46 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitchi	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8015	文件：78.05 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FastRecovery	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8015JVFR	文件：74.23 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
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APT8015JVFR	文件：297.5 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=150mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·BatteryChargers ·Highspeedpowerswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT8015JVR	文件：75.46 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitchi	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
BQ8015	文件：575.77 Kbytes Page：50 Pages	Cool-GG?줡ROGRAMMABLEBATTERYMANAGEMENTIC	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
BQ8015DBT	文件：575.77 Kbytes Page：50 Pages	Cool-GG?줡ROGRAMMABLEBATTERYMANAGEMENTIC	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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C8015NL	文件：145.48 Kbytes Page：2 Pages	Diplexer,5-864/1125-1525MHz	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse

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