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ACPL-W456	文件：328.2 Kbytes Page：12 Pages	ACPL-P456andACPL-W456IntelligentPowerModuleandGateDriveInterfaceOptocouplers Description TheACPL-P456andACPL-W456containaGaAsPLEDopticallycoupledtoanintegratedhighgainphotodetector.Minimizedpropagationdelaydifferencebetweendevicesmaketheseoptocouplersexcellentsolutionsforimprovinginverterefficiencythroughreducedswitchingdeadtime.Specif	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
AOD456	文件：123.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD456usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOD456isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD456	文件：309.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=50A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=25V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD456	文件：1.46505 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET FEATURES ●TrenchFETPowerMOSFET ●175°CMaximumJunctionTemperature ●100RgTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD456	文件：198.62 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD456A	文件：108.3 Kbytes Page：5 Pages	PlasticEncapsulatedDevice ProductDescription: TheAOD456AusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOD456AisPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). A	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD456A	文件：916.66 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET FEATURES ●TrenchFETPowerMOSFET ●175°CMaximumJunctionTemperature ●100RgTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD456A	文件：318.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD456AL	文件：108.3 Kbytes Page：5 Pages	PlasticEncapsulatedDevice ProductDescription: TheAOD456AusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOD456AisPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). A	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD456L	文件：123.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD456usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOD456isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI456	文件：995.06 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOI456	文件：330.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU456	文件：71.81 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU456usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU456isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU456	文件：994.15 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOU456	文件：352.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU456L	文件：71.81 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU456usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU456isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
BD456N	文件：236.72 Kbytes Page：2 Pages	45AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
BD456P	文件：236.72 Kbytes Page：2 Pages	45AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
BMA456	文件：3.63604 Mbytes Page：129 Pages	Digital,triaxialaccelerationsensor	bosch 博世博世半导体	bosch
BMR456	文件：2.23529 Mbytes Page：49 Pages	2013-2013-FullyregulatedAdvancedBusConvertersInput36-75V,Outputupto39A/468W	EricssonEricsson Microelectronics 爱立信	Ericsson

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