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ACNW3190-000E中文资料5.0Amp 高输出电流 IGBT 门驱动光电耦合器数据手册Broadcom规格书
ACNW3190-000E规格书详情
描述 Description
ACNW3190 内含一个 AlGaAs LED，可与一个功率输出级集成电路进行光电耦合。此光电耦合器可完美适用于电机控制变频器应用中使用的驱动功率 IGBT 和 MOSFET。
输出级的高工作电压范围提供了门控设备所需的驱动电压
。这些光电耦合器提供的电压和高峰值输出电流非常适合用来直接驱动规格达 1200V/200A、 600 V/300A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT，可以通过在 ACNW3190 输出端搭建分列的放大电路来实现。根据 IEC/ EN/DIN EN 60747-5-2 规定，ACNW3190 的最高绝缘电压为
VIORM=1414 Vpeak。
特性 Features
·5.0A 最大峰值输出电流
·VCM = 1500V 时，共模抑制 (CMR) 能力至少达 15 kV/μs 。
·0.5V 最高低电平输出电压 (VOL)
·不需负向门驱动
·ICC = 5mA 最大耗电流
·带滞后欠压锁定 (UVLO) 保护
·宽工作电压范围：15V 到 30V
·500ns 最高开关速度
·工业温度范围：-40°C 至 100°C
·安全规范认证（UL 认证：5000 Vrms/1min、CSA 认证、IEC/EN/DIN EN 60747-5-2 认证：VIORM = 1414 Vpeak）
应用 Application
IGBT/MOSFET Gate Drive
AC/Brushless DC Motor Drives
Industrial Inverters
Switch Mode Power Supplies
技术参数
- 型号：
ACNW3190-000E
- 功能描述：
逻辑输出光电耦合器 5.0A IGBT Gate Drive
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 绝缘电压：
4243 Vrms
- 输出类型：
Push-Pull
- 最大传播延迟时间：
500 ns
- 最大连续输出电流：
2.5 A
- 最大功率耗散：
100 mW
- 最大工作温度：
+ 100 C
- 最小工作温度：
- 40 C
- 封装/箱体：
SO-16
- 封装：
Tube
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