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ACNW3130-000E中文资料极高 CMR 2.5Amp 峰值输出电流 IGBT 门驱动光电耦合器数据手册Broadcom规格书
ACNW3130-000E规格书详情
描述 Description
ACNW3130 门驱动光电耦合器内含一个 AlGaAs LED。该 LED 与一个功率输出级集成电路进行光电耦合。这些光电耦合器可作为电机控制变频器应用中驱动功率 IGBT 和 MOSFET 的理想选择。 输出级的高工作电压范围提供了门控设备所需的驱动电压。 这些光电耦合器提供的电压与电流非常适合用来直接驱动规格达 1200V/100A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT，可以通过在 ACPL-3130 输出端搭建分列的放大电路来实现。ACNW3130 的绝缘电压为 VIORM = 1414 Vpeak，符合 IEC/EN/DIN EN 60747-5-2 要求。
特性 Features
·高速响应
·极高共模抑制（CMR）能力
·可靴带式供电电流
·安全规范认证（申请中）：
- UL认证，5,000Vrms/1min。ACNW3130 通过
- CSA认证
- IEC/EN/DIN EN 60747-5-2 认证- VIORM = 1414 Vpeak
·可选方案包括：
- 300 = 鸥翼型表面贴装方案
- 500 = 卷带式封装方案
- xxxE = 无铅方案
应用 Application
IGBT/MOSFET gate drive
AC/Brushless DC motor drives
Industrial inverters
Switching Power Supplies (SPS)
技术参数
- 型号：
ACNW3130-000E
- 功能描述：
逻辑输出光电耦合器 2.5A IGBT Gate Drive
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 绝缘电压：
4243 Vrms
- 输出类型：
Push-Pull
- 最大传播延迟时间：
500 ns
- 最大连续输出电流：
2.5 A
- 最大功率耗散：
100 mW
- 最大工作温度：
+ 100 C
- 最小工作温度：
- 40 C
- 封装/箱体：
SO-16
- 封装：
Tube
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