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ACMS30N06D-HF	文件：525.27 Kbytes Page：6 Pages	丝印：200N06D；Package：TO-252；MOSFET Features -Superlowgatecharge. -AEC-Q101Qualified. -Advancedhighcelldensitytench technology. -ExcellentCdv/dteffectdecline.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
ADM30N06E	文件：796.83 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM30N06EusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)with	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV
FQB30N06	文件：663.34 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB30N06	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.04Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQB30N06L	文件：630.88 Kbytes Page：9 Pages	60VLOGICN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB30N06L	文件：1.81557 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB30N06LTM	文件：1.81557 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD30N06	文件：660.63 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD30N06	文件：739.93 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD30N06	文件：899.93 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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