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ACE2301	文件：97.51 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The ACE2301 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor are produced using high cell density, DMOS trench technology. Features • VDS=-20V • RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-2.8A=100mΩ • RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-2.0A=150mΩ • Advanced trench process technology • 文件：97.51 Kbytes 页数：5 Pages	ACE	ACE
ACE2301	文件：267.94 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：267.94 Kbytes 页数：5 Pages	ACE	ACE
ACE2301	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	ACE ele	ACE ele
ACE2301BM+H	文件：97.51 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The ACE2301 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor are produced using high cell density, DMOS trench technology. Features • VDS=-20V • RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-2.8A=100mΩ • RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-2.0A=150mΩ • Advanced trench process technology • 文件：97.51 Kbytes 页数：5 Pages	ACE	ACE
ACE2301_12	文件：267.94 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：267.94 Kbytes 页数：5 Pages	ACE	ACE
ACE2301B	文件：261.019 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：261.019 Kbytes 页数：5 Pages	ACE	ACE
ACE2301BM+H	文件：267.94 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：267.94 Kbytes 页数：5 Pages	ACE	ACE

更多ACE2301供应商更新时间2026-1-29 11:10:00