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ACE2301B	文件：261.019 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE2301BM+H	文件：97.51 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description TheACE2301istheP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology. Features •VDS=-20V •RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-2.8A=100mΩ •RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-2.0A=150mΩ •Advancedtrenchprocesstechnology •	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE2301BM+H	文件：267.94 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
2301	文件：170.48 Kbytes Page：3 Pages	1.5Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz GENERALDESCRIPTION The2301isaCOMMONBASEtransistorcapableofproviding1.5WattsClassC,RFoutputpowerat2300MHz.Goldmetalizationanddiffusedballastingareusedtoprovidehighreliabilityandsupremeruggedness.ThetransistorusesafullyhermeticHighTemperatureSolderSealed	GHZTECHGHz Technology GHz Technology	GHZTECH
2301	文件：5.03147 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2301	文件：111.41 Kbytes Page：4 Pages	-2.8A竊?20VP-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
2301	文件：171.02 Kbytes Page：3 Pages	10VP-ChannelEnhancedMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
2301A	文件：194.72 Kbytes Page：3 Pages	9VPchannelenhancedMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
2301-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2301-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2301-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2301-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2301-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2301S	文件：194.8 Kbytes Page：3 Pages	9VPchannelenhancedMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
A-2301E	文件：202.06 Kbytes Page：10 Pages	2.24INCHSINGLEDIGITDISPLAY C/A-2301XSINGLEDIGITDISPLAY 1.Alldimensionareinmillimeters(inches). 2.Toleranceis±0.25mm(0.01”)unlessotherwisespecified.	PARALIGHTPARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 光鼎電子光鼎電子股份有限公司	PARALIGHT
A-2301E	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEDIGITDISPLAY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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A-2301G-A	文件：200.64 Kbytes Page：10 Pages	2.24INCHSINGLEDIGITDISPLAY	PARALIGHTPARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 光鼎電子光鼎電子股份有限公司	PARALIGHT
A-2301H	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEDIGITDISPLAY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
A-2301SR	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEDIGITDISPLAY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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详细参数

型号：
ACE2301B
制造商：
ACE
制造商全称：
ACE Technology Co., LTD.
功能描述：
P-Channel Enhancement Mode MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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