AC857CQ中文资料bipolar-transistors数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
AC857CQ |
| 参数属性 | AC857CQ 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3 |
| 功能描述 | bipolar-transistors |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-14 16:59:00 |
| 人工找货 | AC857CQ价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
AC857CQ规格书详情
特性 Features
•BVCEO > -45V
•ICM = -200mA Peak Pulse Current
应用 Application
•For switching and AF Amplifier Applications
•Ideally Suited for Automatic Insertion
简介
AC857CQ属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Diodes制造生产的AC857CQ晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：AC857CQ
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：Yes
- Product Type
：PNP
- IC
：0.1 A
- ICM
：0.2 A
- PD
：0.3 W
- hFE
：220 Min
- hFE (@ IC)
：0.002 A
- hFE (Min 2)
：-
- hFE (@ IC2)
：N/A A
- VCE (SAT) Max
：300 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)
：0.1/5
- VCE (SAT) (Max.2)
：650 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：N/A
- fT
：200 MHz
- RCE(SAT)
：N/A mΩ
- Packages
：SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2025+ |
SOT-23 |
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国产 |
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