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BD315	文件：215.49 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •DCCurrentGain-hFE=25(Min.)@IC=8A •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=8A •ComplementtoTypeBD316 APPLICATIONS •Designedforhighqualityamplifiersoperatingupto100wattsinto4ohmload.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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制造商上传企业

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BD315

文件：215.49 Kbytes

Page：2 Pages

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •DCCurrentGain-hFE=25(Min.)@IC=8A •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=8A •ComplementtoTypeBD316 APPLICATIONS •Designedforhighqualityamplifiersoperatingupto100wattsinto4ohmload.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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更多ABE.315供应商更新时间2025-7-25 15:11:00

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