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B772	文件：41.73 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHSB772isdesignedforusinginoutputstageof1waudioamplifier,voltageregulator,DC-DCconverterandrelaydriver. AbsoluteMaximumRatings(Ta=25°C) •MaximumTemperatures StorageTemperature..............................................................................	HSMC 华昕	HSMC
B772	文件：297.58 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIERLOWSPEEDSWITCHING) AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIER LOWSPEEDSWITCHING FEATURES •ComplementarytoKTD882.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
B772	文件：123.89 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor Description •Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers •ExcellenthFELinearity •ComplementarypairwithSTD882 •SwitchingApplication	AUK AUK	AUK
B772	文件：22.98 Kbytes Page：1 Pages	PNPTRANSISTOR ●AFOUTPUTAMPLIFIER ●FORDC-DCCONVERTER ●FORCAMERAMOTORDRIVER	STANSONStanson Technology Stanson 科技	STANSON
B772	文件：90.23 Kbytes Page：8 Pages	PNPMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThedeviceisaPNPtransistormanufacturedbyusingplanarTechnologyresultinginruggedhighperformancedevices.ThecomplementaryNPNtypeis2SD882. Features ■Highcurrent ■Lowsaturationvoltage ■Complementto2SD882 Applications ■Voltageregulation ■Relaydriver ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
B772	文件：63.69 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
B772	文件：384.72 Kbytes Page：2 Pages	PNPTypePlasticEncapsulateTransistors Features *PowerDissipation:PCM:625mW(Tamb=25°C)	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
B772	文件：482.62 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Lowspeedswitching	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
B772	文件：264.46 Kbytes Page：7 Pages	PNP(AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIERLOWSPEEDSWITCHING) AudioFrequencyPowerAmplifier •LowSpeedSwitching •ComplementtoKSD882	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
B772	文件：333.75 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR竊늁NP竊	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
B772	文件：288.72 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
B772	文件：101.79 Kbytes Page：1 Pages	PNPTRANSISTOR	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
B772	文件：1.89321 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES PowerDissipation:1.25W LowCollector-emitterSaturationVoltage	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
B772	文件：204.34 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors DESCRIPTION The2SB772isPNPsilicontransistorsuitedfortheoutputstageof3Waudioamplifier,voltageregulator,DC-DCconverterandrelaydriver. FEATURES •Lowsaturationvoltage VCE(sat)≤−0.5V(IC=−2A,IB=−0.2A) •ExcellenthFElinearityandhighhFE hFE=60to400	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. Daya Electric Group Co., Ltd.	DAYA
B772	文件：251.49 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89transistors	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.	GSME
B772	文件：349.15 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulatePNPTransistors	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
B772	文件：353.96 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
B772	文件：495.78 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
B772	文件：578.03 Kbytes Page：2 Pages	Lowspeedswitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
B772	文件：3.53069 Mbytes Page：2 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG

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产品属性

产品编号：
A772XTB
制造商：
TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
类别：
继电器 > 接触器（机电）
包装：
盒
描述：
A772XTB=CONTACTOR BATTERY DISC

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更多A772XTB供应商更新时间2024-5-24 15:00:00

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