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D6264S	文件：148.7 Kbytes Page：2 Pages	SIL2LoadCell/StrainGaugeBridgeConverter FEATURES SIL2/SC3 StrainGaugeBridgeIsolatedConverter Uptofour350Ωloadcellsinparallel 0/4-20mAsink/sourceoutputcurrent ModbusRTURS-485formonitor&configuration FieldAutomaticCalibration Fullyprogrammableoperatingparameters HighAccuracy,μPcontrolledA/Dconve	GMI G.M. International	GMI
FT6264	文件：953.4 Kbytes Page：17 Pages	ULTRAHIGHSPEED8Kx8STATICCMOSRAMS	FORCE Force Technologies Ltd	FORCE
HM6264	文件：592.28 Kbytes Page：8 Pages	8192-wordx8-bitHighSpeedCMOSStaticRAM	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HM6264	文件：72.32 Kbytes Page：17 Pages	64kSRAM(8-kwordx8-bit)WideTemperatureRangeversion Description TheHitachiHM6264BIis64k-bitstaticRAMorganized8-kword×8-bit.Itrealizeshigherperformanceandlowpowerconsumptionby1.5µmCMOSprocesstechnology.Thedevice,packagedin450milSOP(footprintpitchwidth),600milplasticDIP,isavailableforhighdensitymounting.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HM6264	文件：82.09 Kbytes Page：15 Pages	64kSRAM(8-kwordx8-bit) Description TheHitachiHM6264Bis64k-bitstaticRAMorganized8-kword×8-bit.Itrealizeshigherperformanceandlowpowerconsumptionby1.5µmCMOSprocesstechnology.Thedevice,packagedin450milSOP(footprintpitchwidth),600milplasticDIP,300milplasticDIP,isavailableforh	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HM6264A	文件：54.36 Kbytes Page：10 Pages	8192-wordx8-bitHighSpeedCMOSStaticRAM Features •Low-powerstandby —0.1mW(typ) —10µW(typ)L-/LL-version •Lowpoweroperation —15mW/MHz(typ) •Fastaccesstime —l00/120/150ns(max) •Single+5Vsupply •Completelystaticmemory —Noclockortimingstroberequired •Equalaccessandcycletim	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HM6264A	文件：592.28 Kbytes Page：8 Pages	8192-wordx8-bitHighSpeedCMOSStaticRAM	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HM6264B	文件：82.09 Kbytes Page：15 Pages	64kSRAM(8-kwordx8-bit) Description TheHitachiHM6264Bis64k-bitstaticRAMorganized8-kword×8-bit.Itrealizeshigherperformanceandlowpowerconsumptionby1.5µmCMOSprocesstechnology.Thedevice,packagedin450milSOP(footprintpitchwidth),600milplasticDIP,300milplasticDIP,isavailableforh	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HM6264BI	文件：72.32 Kbytes Page：17 Pages	64kSRAM(8-kwordx8-bit)WideTemperatureRangeversion Description TheHitachiHM6264BIis64k-bitstaticRAMorganized8-kword×8-bit.Itrealizeshigherperformanceandlowpowerconsumptionby1.5µmCMOSprocesstechnology.Thedevice,packagedin450milSOP(footprintpitchwidth),600milplasticDIP,isavailableforhighdensitymounting.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HT6264	文件：238.83 Kbytes Page：10 Pages	CMOS8Kx8-BitSRAM GeneralDescription TheHT6264-70isa65,536-bitstaticrandomaccessmemoryorganizedaas8192wordsby8bitsandoperatesfromasingle5-voltspowersupply.ItisbuiltwithHOLTTEKshighperformanceCMOS0.8μmSPDMprocess.	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰合泰半导体	Holtek

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产品属性

产品编号：
A6264KLYTR-T
制造商：
Allegro MicroSystems
类别：
集成电路（IC） > LED 驱动器
系列：
Automotive, AEC-Q100
包装：
散装
类型：
线性
输出数：
4
电压 - 供电（最低）：
6V
电压 - 供电（最高）：
50V
电流 - 输出/通道：
100mA
调光：
PWM
应用：
汽车级
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
10-MSOP-EP
描述：
IC LED DRVR LIN PWM 100MA 10MSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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