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A5G35S008N_V01

Airfast RF Power GaN Transistor

This 27 dBm RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 3300 to 3800 MHz. Features • High terminal impedances for optimal broadband performance • Designed for low complexity analog or digital linearization systems • Universal br

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恩XP

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A5S55-CO-RH

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更多A5G35S008N_V01供应商 更新时间2025-9-30 15:49:00