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A5G35H110NT4	文件：193.07 Kbytes Page：11 Pages	Airfast RF Power GaN Transistor This 15.1 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 3300 to 3700 MHz. This part is characterized and performance is guaranteed for applications operati 文件：193.07 Kbytes 页数：11 Pages	恩XP	恩XP
A5G35H110NT4	文件：208.25 Kbytes Page：11 Pages	Airfast RF Power GaN Transistor 文件：208.25 Kbytes 页数：11 Pages	恩XP	恩XP
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兆亿微波(北京)科技有限公司	A5G35S004NT6	恩XP			500		询价
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更多A5G35H110NT4供应商更新时间2026-2-4 15:16:00

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