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A5G35H055NT4

Airfast RF Power GaN Transistor

This 7.6 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 3400 to 3600 MHz. This part is characterized and performance is guaranteed for applications operatin

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恩XP

恩XP

A5G35H055NT4

Airfast RF Power GaN Transistor

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恩XP

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A5S55-CO-RH

TFBGA404

AMBARELLA

安霸半导体

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A5S66

BGA

AMBARELLA

安霸半导体

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A5S66-C0-RH

BGA100

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安霸半导体

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更多A5G35H055NT4供应商 更新时间2026-2-10 10:10:00