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A5G35H055N_V01

Airfast RF Power GaN Transistor

This 7.6 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 3400 to 3600 MHz. This part is characterized and performance is guaranteed for applications operatin

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更多A5G35H055N_V01供应商 更新时间2025-10-13 16:46:00