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A3G26D055N-100 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 射频 NXP/恩智浦
- 详细信息
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原厂料号:A3G26D055N-100品牌:NXP USA Inc.
晶体管-分立半导体产品-原装正品
A3G26D055N-100是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商NXP USA Inc.生产封装6-LDFN 裸露焊盘的A3G26D055N-100晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 类型
描述
- 产品编号:
A3G26D055N-100
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
GaN
- 频率:
100MHz ~ 2.69GHz
- 增益:
13.9dB
- 功率 - 输出:
8W
- 封装/外壳:
6-LDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
6-PDFN(7x6.5)
- 描述:
RF REF CIRCUIT 25W 100-2800MHZ
供应商
- 企业:
中天科工半导体(深圳)有限公司
- 商铺:
- 联系人:
李先生
- 手机:
13128990370
- 询价:
- 电话:
13128990370免费服务热线-6
- 传真:
原装正品
- 地址:
深圳市福田区赛格广场54层5406-5406B
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