A2T18H455W23NR6 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 NXP/恩智浦

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厂家型号：
A2T18H455W23NR6
产品分类：
芯片
生产厂商：
NXP/恩智浦
库存数量：
73048
产品封装：
标准封装
生产批号：
23+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2024-5-7 19:50:00

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原厂料号：A2T18H455W23NR6品牌：NXP(恩智浦)

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A2T18H455W23NR6是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商NXP(恩智浦)/NXP USA Inc.生产封装标准封装/OM-1230-4L2S的A2T18H455W23NR6晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

芯片型号：
A2T18H455W23NR6
规格书：
下载下载2
企业简称：
NXP【恩智浦】详情
厂商全称：
NXP Semiconductors
中文名称：
恩智浦半导体公司
内容页数：
17 页
文件大小：
425.87 kb
资料说明：
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

产品属性

类型
描述
产品编号：
A2T18H455W23NR6
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
1.805GHz ~ 1.88GHz
增益：
14.5dB
额定电流（安培）：
10µA
功率 - 输出：
56dBm
封装/外壳：
OM-1230-4L2S
供应商器件封装：
OM-1230-4L2S
描述：
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

供应商

企业：
深圳市高捷芯城科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
肖先生
手机：
19076157484
询价：
电话：
0755-83061789
传真：
0755-82550578
地址：
深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦10B

A2T18H455W23NR6 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 NXP/恩智浦

A2T18H455W23NR6

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