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A2T09VD250N

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

文件:631.83 Kbytes 页数:19 Pages

恩XP

恩XP

A2T09VD250NR1

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

文件:631.83 Kbytes 页数:19 Pages

恩XP

恩XP

A2T09VD250N

716-960 MHz,65 W平均值,48 V Airfast®.频功率LDMOS晶体管

The A2T09VD250NR1 65 W RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 716 to 960 MHz. • Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation\n• Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems\n• Optimized for Doherty Applications\n• RoHS Compliant;

恩XP

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更多A2T09VD250N供应商 更新时间2026-1-26 11:00:00