订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>A2I08H040NR1>芯片详情
A2I08H040NR1 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 射频 NXP/恩智浦
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号:A2I08H040NR1品牌:NXP USA Inc.
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证
A2I08H040NR1是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商NXP USA Inc.生产封装TO-270-15 变式,扁平引线/TO-270-15 变式,扁平引线的A2I08H040NR1晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
A2I08H040NR1
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS(双)
- 频率:
920MHz
- 增益:
30.7dB
- 功率 - 输出:
9W
- 封装/外壳:
TO-270-15 变式,扁平引线
- 供应商器件封装:
TO-270WB-15
- 描述:
IC RF LDMOS AMP
供应商
- 企业:
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
李先生/许小姐
- 手机:
13717125871/13530520535
- 询价:
- 电话:
0755-83201583/83214703
- 传真:
0755-22669259
- 地址:
深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋620室
相近型号
- A2HM1CSQ12VDC1.6R
- A2I09VD050NR1
- A2HM1CSQ12VDC1.6D
- A2I20D020GNR1
- A2HM1CSQ12VDC1.6
- A2I20D020NR1
- A2HM1CCQ24VDC1.6R
- A2I20D040GNR1
- A2HM1CCQ24VDC1.6D
- A2I20D040NR1
- A2HM1CCQ24VDC1.6
- A2I20H060GNR1
- A2HM1CCQ12VDC1.6R
- A2I20H060NR1
- A2HM1CCQ12VDC1.6
- A2I20H080GNR1
- A2HM1ASQ12VDC1.6R
- A2I20H080N
- A2HM1ASQ12VDC1.6D
- A2I20H080NR1
- A2HM1ASQ12VDC1.6
- A2I22D050GN
- A2HM1ACQ24VDC1.6R
- A2I22D050GNR1
- A2HM1ACQ12VDC1.6R
- A2I22D050N
- A2HM1ACQ12VDC1.6
- A2I22D050NR1
- A2HI
- A2I25D012GNR1
- A2HH42
- A2I25D012N
- A2HF1CSQ24VDC1.6R
- A2I25D012NR1
- A2HF1CSQ24VDC1.6D
- A2I25D025GNR1
- A2HF1CSQ24VDC1.6
- A2I25D025N
- A2HF1CSQ12VDC1.6R
- A2I25D025NR1
- A2HF1CSQ12VDC1.6D
- A2I25H060GN
- A2HF1CSQ12VDC1.6
- A2I25H060GNR1
- A2HF1CCQ24VDC1.6R
- A2I25H060N
- A2HF1CCQ24VDC1.6D
- A2I25H060NR1
- A2HF1CCQ24VDC1.6
- A2I35H060GNR1