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A2G35S160-01S中文资料3400-3600MHz,32 W平均值,48 V Airfast®射频功率GaN晶体管数据手册恩XP规格书

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厂商型号

A2G35S160-01S

功能描述

3400-3600MHz,32 W平均值,48 V Airfast®射频功率GaN晶体管

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-27 16:20:00

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A2G35S160-01S规格书详情

描述 Description

The A2G35S160-01SR3 32 W RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 3400 to 3600 MHz.

特性 Features

• High Terminal Impedances for Optimal Broadband Performance
• Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
• Optimized for Doherty Applications
• RoHS Compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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