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A2G22S160-01SR3

1800–2200 MHz, 32 W AVG., 48 V AIRFAST RF POWER GaN TRANSISTOR

Features  High Terminal Impedances for Optimal Broadband Performance  Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems  Optimized for Doherty Applications

文件:761.3 Kbytes 页数:18 Pages

恩XP

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A2G22S160-01SR3

RF Power GaN Transistor

文件:815.01 Kbytes 页数:18 Pages

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更多A2G22S160-01SR3供应商 更新时间2025-10-9 13:52:00