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A2C50S65M2中文资料ACEPACK 2整流逆变制动650 V、50 A沟槽栅场截止IGBT M系列,软二极管和NTC数据手册ST规格书

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厂商型号

A2C50S65M2

参数属性

A2C50S65M2 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2

功能描述

ACEPACK 2整流逆变制动650 V、50 A沟槽栅场截止IGBT M系列,软二极管和NTC
IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2

封装外壳

模块

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-27 19:00:00

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A2C50S65M2规格书详情

描述 Description

This power module is a converter-inverter brake (CIB) topology in an ACEPACK™ 2 package with NTC, integrating the advanced trench gate field-stop technology from STMicroelectronics. This new IGBT technology represents the best compromise between conduction and switching loss, to maximize the efficiency of any converter system up to 20 kHz.

特性 Features

• ACEPACK™ 2 power module
•DBC Cu Al2O3 Cu
• Converter inverter brake topology
•1600 V, very low drop rectifiers for converter
•650 V, 50 A IGBTs and diodes
•Soft and fast recovery diode
• Integrated NTC

简介

A2C50S65M2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的A2C50S65M2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :A2C50S65M2

  • 生产厂家

    :ST

  • Topology

    :CIB

  • Embedded power switches

    :IGBTs

  • Breakdown Voltage_max(V)

    :650

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :50

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.95

  • VF_typ(V)

    :1.85

  • PTOT_nom(W)

    :208

  • Package

    :ACEPACK 2

  • Package size(mm)

    :62.8 x 56.7

  • Pin Type

    :Soldered

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