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A12M1T060	文件：1.77341 Mbytes Page：15 Pages	型号：AIMZH120R060M1T；Package：PG-TO247-4-STD-NT6.7；CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=38AatTC=25°C •RDS(on)=60mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM •Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) •Bestinclassswitc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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A12M1T060

文件：1.77341 Mbytes

Page：15 Pages

型号：AIMZH120R060M1T；Package：PG-TO247-4-STD-NT6.7；CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET

Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=38AatTC=25°C •RDS(on)=60mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM •Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) •Bestinclassswitc

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星辰微电科技有限公司	AIMZH120R060M1T	Infineon	23+	PG-TO247-4	15500	英飞凌优势渠道全系列在售	询价
深圳普睿晟业科技有限公司	AIMZH120R060M1T	INFINEON/英飞凌	23+	PG-TO247-4	5000	原装现货	询价
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更多A12M1T060供应商更新时间2025-7-31 18:59:00

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