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9250BF-27LFT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：56-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽）类别：集成电路（IC）应用特定时钟/定时描述：IC FREQ GENERATOR/BUFFER 56-SSOP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
9250BFI-27LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：56-SSOP（0.295"，7.50mm 宽）类别：集成电路（IC）应用特定时钟/定时描述：IC PLL FREQ GEN 56-SSOP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
9250BFI-27LFT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：56-SSOP（0.295"，7.50mm 宽）类别：集成电路（IC）应用特定时钟/定时描述：IC PLL FREQ GEN 56-SSOP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
9250A	文件：248.87 Kbytes Page：2 Pages	MoldedAxialInductor	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AD9250	文件：1.44605 Mbytes Page：45 Pages	DualAnalog-to-DigitalConverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD9250	文件：1.18143 Mbytes Page：44 Pages	14-Bit,170MSPS/250MSPS,JESD204B,DualAnalog-to-DigitalConverter GENERALDESCRIPTION TheAD9250isadual,14-bitADCwithsamplingspeedsofupto250MSPS.TheAD9250isdesignedtosupportcommunicationsapplicationswherelowcost,smallsize,widebandwidth,andversatilityaredesired. FEATURES JESD204BSubclass0orSubclass1codedserialdigital	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AH9250	文件：450.32 Kbytes Page：10 Pages	HIGHSENSITIVITYMICROPOWEROMNIPOLARHALL-EFFECTSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH9250-P-B	文件：450.32 Kbytes Page：10 Pages	HIGHSENSITIVITYMICROPOWEROMNIPOLARHALL-EFFECTSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
APDS-9250	文件：522.65 Kbytes Page：21 Pages	DigitalRGB,IRandAmbientLightSensor	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
APDS-9250	文件：522.65 Kbytes Page：21 Pages	DigitalRGB,IRandAmbientLightSensor	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BXO9250	文件：47.02 Kbytes Page：1 Pages	VoltageControlledOscillator	APITECH API Technologies Corp	APITECH
FRF9250D	文件：48.02 Kbytes Page：6 Pages	14A,-200V,0.315Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRF9250H	文件：48.02 Kbytes Page：6 Pages	14A,-200V,0.315Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRF9250R	文件：48.02 Kbytes Page：6 Pages	14A,-200V,0.315Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRM9250D	文件：50.25 Kbytes Page：6 Pages	16A,-200V,0.300Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronha	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRM9250H	文件：50.25 Kbytes Page：6 Pages	16A,-200V,0.300Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronha	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRM9250R	文件：50.25 Kbytes Page：6 Pages	16A,-200V,0.300Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronha	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSF9250D	文件：45.16 Kbytes Page：8 Pages	15A,-200V,0.290Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSF9250R	文件：45.16 Kbytes Page：8 Pages	15A,-200V,0.290Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
GBS-9250G	文件：84.56 Kbytes Page：4 Pages	5V/1550nm/2.5Gb/sSignle-ModeGigabitInterfaceConverter(GBIC)	OPTOWAYOptoway Technology Inc 奥普薇科技奥普薇科技股份有限公司	OPTOWAY

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产品属性

产品编号：
9250BFI-27LF
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 应用特定时钟/定时
包装：
散装
PLL：
是
主要用途：
Intel CPU 服务器
输入：
晶体
输出：
时钟
比率 - 输入：
1：27
差分 - 输入：
无/无
频率 - 最大值：
133.3MHz
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
56-SSOP（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
56-SSOP
描述：
IC PLL FREQ GEN 56-SSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多9250BF供应商更新时间2024-6-23 10:02:00

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