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IRFR9024	文件：4.48925 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9024	文件：1.1361 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9024	文件：4.48925 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9024	文件：5.21397 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9024	文件：321.91 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR9024	文件：1.24375 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR9024,SiHFR9024) •Straightlead(IRFU9024,SiHFU9024) •Availableintapeandreel •P-channel •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9024	文件：1.69025 Mbytes Page：5 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GeneralFeatures Vps=-60VIp=-20A Robson)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFR9024	文件：1.50124 Mbytes Page：5 Pages	60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GeneralFeatures Vos=-60VIp=-20A Ros(on)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFR9024	文件：299.49 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-8.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR9024N	文件：117.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.175ohm,Id=-11A)	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
9024F
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多9024F供应商更新时间2025-7-29 10:07:00

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