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900N20N	文件：675.98 Kbytes Page：9 Pages	型号：BSZ900N20NS3G；Package：PG-TSDSON-8；OptiMOSTM3 Power-Transistor Features •Optimizedfordc-dcconversion •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Lowon-resistanceRDS(on) •150°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Halogen-freeacco	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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900N20N

文件：675.98 Kbytes

Page：9 Pages

型号：BSZ900N20NS3G；Package：PG-TSDSON-8；OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features •Optimizedfordc-dcconversion •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Lowon-resistanceRDS(on) •150°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Halogen-freeacco

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

型号：
900N20N
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 15.2A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BSZ900N20NS3G	Infineon(英飞凌)	24+	TSDSON-8	14412	原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	BSZ900N20NS3G	INFINEON/英飞凌	20+	TSDSON8	10000		询价

更多900N20N供应商更新时间2025-8-1 23:00:00

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