订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>BSZ900N20NS3G>芯片详情
BSZ900N20NS3G_INFINEON/英飞凌_MOSFET N-CH 200V 15.2A柒号芯城
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
BSZ900N20NS3G
- 功能描述:
MOSFET N-CH 200V 15.2A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
相近型号
- BSZ520N15NS3GATMA1
- BT-0026
- BSZ520N15NS3G
- BT-0030SMG-1
- BSZ520N15NS3
- BT-0030SMG-2
- BSZ440N10NS3GATMA1
- BT-0034SMG-1
- BSZ440N10NS3G
- BT-0034SMG-2
- BSZ440N10NS3
- BT-0040
- BSZ42DN25NS3GATMA1
- BT-0050
- BSZ42DN25NS3G
- BT-0065
- BSZ42DN25NS3
- BT05CV
- BSZ340N08NS3GATMA1
- BT05VG
- BSZ340N08NS3G
- BT05VG2
- BSZ300N15NS5ATMA1
- BT09E
- BSZ300N15NS5
- BT1-0026
- BSZ240N12NS3GATMA1
- BT1-0040
- BSZ240N12NS3G
- BT1-0050
- BT1010SC/883
- BSZ22DN20NS3GATMA1
- BT101KC30
- BSZ22DN20NS3G
- BT102BC
- BSZ215CHXTMA1
- BT106BC
- BSZ215CH
- BT106KC30
- BSZ180P03NS3GATMA1
- BT110KPJ
- BSZ180P03NS3G
- BT111-A-HCI
- BSZ180P03NS3EGATMA1
- BT121-A-V2
- BSZ180P03NS3EG
- BT121-A-V2-IAP
- BSZ16DN25NS3GATMA1
- BT121KPJ50
- BSZ16DN25NS3G