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8P34S2106AHGI	文件：1.03595 Mbytes Page：26 Pages	Dual 1:6 LVDS Output 1.8V / 2.5V Fanout Buffer Description The8P34S2106isahigh-performance,low-power,differential dual1:6LVDSoutput1.8V/2.5Vfanoutbuffer.Thedeviceis designedforthefanoutofhigh-frequency,verylowadditive phase-noiseclockanddatasignals.Twoindependentbuffer channelsareavailable,eachchannelhas	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
8P34S2106AHGI	文件：577.16 Kbytes Page：25 Pages	Dual 1:6 LVDS Output 1.8V / 2.5V Fanout Buffer	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
8P34S2106AHGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：48-UFBGA，WLCSP 类别：集成电路（IC）时钟缓冲器，驱动器描述：WLCSP 3.59X3.04X0.60 MM, 0.40MM	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
8P34S2106AHGI8	文件：1.03595 Mbytes Page：26 Pages	Dual 1:6 LVDS Output 1.8V / 2.5V Fanout Buffer Description The8P34S2106isahigh-performance,low-power,differential dual1:6LVDSoutput1.8V/2.5Vfanoutbuffer.Thedeviceis designedforthefanoutofhigh-frequency,verylowadditive phase-noiseclockanddatasignals.Twoindependentbuffer channelsareavailable,eachchannelhas	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
8P34S2106AHGI8	文件：577.16 Kbytes Page：25 Pages	Dual 1:6 LVDS Output 1.8V / 2.5V Fanout Buffer	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
8P34S2106AHGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：48-UFBGA，WLCSP 类别：集成电路（IC）时钟缓冲器，驱动器描述：WLCSP 3.59X3.04X0.60 MM, 0.40MM	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
8P34S2106ANLGI	文件：1.26506 Mbytes Page：21 Pages	Dual1:6LVDSOutput1.8V/2.5VFanoutBuffer Features ▪Dual1:6lowskew,lowadditivejitterLVDSfanout buffers ▪MatchedACcharacteristicsacrossbothchannels ▪Highisolationbetweenchannels ▪Lowpowerconsumption ▪BothdifferentialCLKA,nCLKAandCLKB,nCLKB inputsacceptLVDS,LVPECLandsingle-ended LVCMOSlevels ▪Max	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
8P34S2106ANLGI/W	文件：1.26506 Mbytes Page：21 Pages	Dual1:6LVDSOutput1.8V/2.5VFanoutBuffer Features ▪Dual1:6lowskew,lowadditivejitterLVDSfanout buffers ▪MatchedACcharacteristicsacrossbothchannels ▪Highisolationbetweenchannels ▪Lowpowerconsumption ▪BothdifferentialCLKA,nCLKAandCLKB,nCLKB inputsacceptLVDS,LVPECLandsingle-ended LVCMOSlevels ▪Max	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
8P34S2106NLGI	文件：577.16 Kbytes Page：25 Pages	Dual1:6LVDSOutput1.8V/2.5VFanoutBuffer	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
8P34S2106NLGI	文件：423.22 Kbytes Page：20 Pages	Dual1:6LVDSOutput1.8VFanoutBuffer	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
8P34S2106NLGI	文件：1.03595 Mbytes Page：26 Pages	Dual1:6LVDSOutput1.8V/2.5VFanoutBuffer Description The8P34S2106isahigh-performance,low-power,differential dual1:6LVDSoutput1.8V/2.5Vfanoutbuffer.Thedeviceis designedforthefanoutofhigh-frequency,verylowadditive phase-noiseclockanddatasignals.Twoindependentbuffer channelsareavailable,eachchannelhas	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
8P34S2106NLGI/W	文件：1.03595 Mbytes Page：26 Pages	Dual1:6LVDSOutput1.8V/2.5VFanoutBuffer Description The8P34S2106isahigh-performance,low-power,differential dual1:6LVDSoutput1.8V/2.5Vfanoutbuffer.Thedeviceis designedforthefanoutofhigh-frequency,verylowadditive phase-noiseclockanddatasignals.Twoindependentbuffer channelsareavailable,eachchannelhas	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
8P34S2106NLGI/W	文件：423.22 Kbytes Page：20 Pages	Dual1:6LVDSOutput1.8VFanoutBuffer	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

产品属性

产品编号：
8P34S2106AHGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 时钟缓冲器，驱动器
包装：
卷带（TR）
类型：
扇出缓冲器（分配）
电路数：
2
比率 - 输入：
1：6
差分 - 输入：
是/是
输入：
LVCMOS，LVDS，LVPECL
输出：
LVDS
电压 - 供电：
1.71V ~ 2.7V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-UFBGA，WLCSP
供应商器件封装：
用于 UTC-500 系列的 4 合 1 模块
描述：
WLCSP 3.59X3.04X0.60 MM, 0.40MM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创辉电子科技有限公司	8P34S2106AHGI	RENESAS(瑞萨)	23+	48-WLCSP (3.59L X 3.04W X 0.40	1000	全新、原装	询价
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更多8P34S2106AHGI供应商更新时间2024-9-26 9:09:00

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