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FDT86256

丝印:86256;Package:SOT-223;N-Channel PowerTrench® MOSFET 150 V, 1.2 A, 845 mΩ

Features Max rDS(on) = 845 mΩ at VGS = 10 V, ID = 1.2 A Max rDS(on) = 1280 mΩ at VGS = 6.0 V, ID = 1.0 A Very low Qg and Qgd compared to competing trench technologies Fast switching speed 100% UIL Tested RoHS Compliant General Description This N-Channel MOSFET is produced using

文件:350.26 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    86256

  • 功能描述:

    MOSFET 150V NCh MOSFET PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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