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NP84N075CUE	文件：219.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •Lowinputcapacitance Ciss=5600pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
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NP84N075KUE	文件：219.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •Lowinputcapacitance Ciss=5600pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
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NP84N075MUE	文件：306.3 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •Lowinputcapacitance Ciss=5600pFTYP.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP84N075MUE	文件：219.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •Lowinputcapacitance Ciss=5600pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
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NP84N075NUE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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上海金庆电子技术有限公司	84N2338	MULTICORMPCORP	新		4	全新原装货期两周	询价
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深圳诚思涵科技有限公司	8-4NS	JST	18+		9800	代理进口原装/实单价格可谈	询价
深圳市中利达电子科技有限公司	8-4NS	JST/日压	22+	原厂原封	4875	只做原装提供一站式配套供货中利达	询价
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深圳市保之丰科技有限公司	8-4NS	JST/日压	21+		100		询价
利广微科技（深圳)有限公司	8-4NS	JST		标准封装	54503	一级代理原装正品现货期货均可订购	询价

更多84N075供应商更新时间2024-5-17 16:01:00

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