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TPCF8304	文件：260.7 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSIV) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=60mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.9S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−30V) •Enhancementmodel:Vth=−0.8to−2.0V,(VDS=−10V,ID=−1	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCF8304	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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TPCF8304

文件：260.7 Kbytes

Page：7 Pages

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSIV)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=60mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=5.9S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−30V) •Enhancementmodel:Vth=−0.8to−2.0V,(VDS=−10V,ID=−1

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

TPCF8304

文件：1.58274 Mbytes

Page：73 Pages

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

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产品属性

产品编号：
8304AMLFT
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 时钟缓冲器，驱动器
包装：
管件
类型：
扇出缓冲器（分配）
电路数：
1
比率 - 输入：
1：4
差分 - 输入：
无/无
输入：
LVCMOS，LVTTL
输出：
LVCMOS，LVTTL
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC CLK BUFFER 1

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更多8304AMLFT供应商更新时间2024-4-30 19:36:00

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