丝印：8205；Package：SOT23-6L；20V,4A Dual N-Channel MOSFET

文件：330.96 Kbytes 页数：7 Pages

E-CMOS

飞虹高科

丝印：8205；Package：SOT23-6；N-channel Double MOSFET

文件：1.48586 Mbytes 页数：5 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

丝印：8205；Package：SOT-23-6；20V Dual N-Channel MOSFET

文件：531.63 Kbytes 页数：4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

丝印：8205；Package：SOT-23-6L；Dual N-Channel, 20V, 5.2A, Power MOSFET

文件：3.22313 Mbytes 页数：8 Pages

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

丝印：8205；Package：SOT-23-6L；Dual N-Channel, 20V, 5.2A, Power MOSFET

文件：3.22313 Mbytes 页数：8 Pages

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

丝印：8205；Package：TSSOP-8L；Dual N-Channel, 20V, 5.7A, Power MOSFET

文件：2.34002 Mbytes 页数：8 Pages

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

丝印：8205；Package：TSSOP-8L；Dual N-Channel, 20V, 5.7A, Power MOSFET

文件：2.34002 Mbytes 页数：8 Pages

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

丝印：8205A；Package：TSSOP8；20V, 18m2, 6A, N-Channel MOSFET

Features ◆20V MOSFET technology ◆Low on-state resistance ◆Fast switching ◆ Vgs+12V

文件：3.05317 Mbytes 页数：6 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

丝印：8205A；Package：SOT23-6；Dual N-Channel Enhancement Power Mosfet

Features VDS = 20V,ID =6A RDS(ON),19.5mΩ(Typ) @ VGS =4.5V RDS(ON), 25mΩ(Typ) @ VGS =2.5V Trench Power Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for Fast-switching Applications

文件：1.34742 Mbytes 页数：6 Pages

UMW

友台半导体

丝印：8205F；Package：SOT23-6；N-channel Double MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package.

Features advanced trench technology to provide excellent RDS(on), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V.

文件：472.95 Kbytes 页数：7 Pages

RECTRON

丽正国际