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BB804	文件：408.52 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode SiliconVariableCapacitanceDiode •ForFMtuners •Monolithicchipwithcommoncathodeforperfecttrackingofbothdiodes •Uniformsquarelawcharacteristics •IdealHiFituningdevicewhenusedinlow-distortion,back-to-backconfiguration •Pb-free(ROHScompliant)package1) •Qualif	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BB804	文件：61.7 Kbytes Page：5 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BB804	文件：58.78 Kbytes Page：8 Pages	VHFvariablecapacitancedoublediode DESCRIPTION TheBB804isavariablecapacitancedoublediodewithacommoncathode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOT23smallplasticSMDpackage. FEATURES •Selectedcapacitancerange •SmallplasticSMDpackage •C8:26pF;ratio:1.7 •Lowseriesresistance. AP	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB804W	文件：58.78 Kbytes Page：8 Pages	VHFvariablecapacitancedoublediode DESCRIPTION TheBB804isavariablecapacitancedoublediodewithacommoncathode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOT23smallplasticSMDpackage. FEATURES •Selectedcapacitancerange •SmallplasticSMDpackage •C8:26pF;ratio:1.7 •Lowseriesresistance. AP	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF804	文件：116.07 Kbytes Page：1 Pages	DiscreteSemiconductors DiscretsSemiconductors FETsForVHFAmplifiersandMixers ForLowNoiseAmplifiers Lowleakage/NoiseCurrent DualGateMosfets(NChannelDepletion) Lowleakge	AMMSEMIAmerican Microsemiconductor 美国微半导体有限公司	AMMSEMI
BGD804	文件：57.17 Kbytes Page：12 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION HybridamplifiermoduleinaSOT115Jpackageoperatingatavoltagesupplyof24V(DC). FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Siliconnitridepassivation •Ruggedconstruction •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS CATVsystemsi	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGD804N	文件：57.09 Kbytes Page：12 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION HybridamplifiermoduleinaSOT115Jpackageoperatingatavoltagesupplyof24V(DC). FEATURES •Extremelyflatgainresponse •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Siliconnitridepassivation •Excellentreturnlossproperties •Ruggedconstruction •Goldmetallizat	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BR804	文件：33.25 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
BR804	文件：47.5 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BR804	文件：17.96 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS PRV:50-1000Volts Io:8.0Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Idealforprintedcircuitboard *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

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