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74VHCT03A	文件：158.02 Kbytes Page：8 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE DESCRIPTION The 74VHCT03A is an advanced high-speed CMOS QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPZ = 3.9 ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 2 µA (MAX.) at TA=25°C ■ COMPATIBLE WI 文件：158.02 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74VHCT03AM	文件：158.02 Kbytes Page：8 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE DESCRIPTION The 74VHCT03A is an advanced high-speed CMOS QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPZ = 3.9 ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 2 µA (MAX.) at TA=25°C ■ COMPATIBLE WI 文件：158.02 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74VHCT03AMTR	文件：158.02 Kbytes Page：8 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE DESCRIPTION The 74VHCT03A is an advanced high-speed CMOS QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPZ = 3.9 ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 2 µA (MAX.) at TA=25°C ■ COMPATIBLE WI 文件：158.02 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74VHCT03AT	文件：158.02 Kbytes Page：8 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE DESCRIPTION The 74VHCT03A is an advanced high-speed CMOS QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPZ = 3.9 ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 2 µA (MAX.) at TA=25°C ■ COMPATIBLE WI 文件：158.02 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74VHCT03ATTR	文件：158.02 Kbytes Page：8 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE DESCRIPTION The 74VHCT03A is an advanced high-speed CMOS QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPZ = 3.9 ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 2 µA (MAX.) at TA=25°C ■ COMPATIBLE WI 文件：158.02 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74VHCT03A	文件：223.14 Kbytes Page：11 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE 文件：223.14 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74VHCT03A_04	文件：223.14 Kbytes Page：11 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE 文件：223.14 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74VHCT03AMTR	文件：223.14 Kbytes Page：11 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE 文件：223.14 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74VHCT03ATTR	文件：223.14 Kbytes Page：11 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE 文件：223.14 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74VHCT03A	文件：300 bytes Page：1 Pages	QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE	ST 意法半导体	ST

详细参数

型号：
74VHCT03
功能描述：
逻辑门 Quad 2-Input NAND
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
产品：
OR
逻辑系列：
LVC
栅极数量：
2
线路数量（输入/输出）：
2/1
高电平输出电流：
- 16 mA
低电平输出电流：
16 mA
传播延迟时间：
3.8 ns
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.65 V
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DCU-8
封装：
Reel

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