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74LVC1G38GS集成电路(IC)门反相器规格书PDF中文资料

74LVC1G38GS
厂商型号

74LVC1G38GS

参数属性

74LVC1G38GS 封装/外壳为6-XFDFN;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 门和反相器;产品描述:IC GATE NAND OD 1CH 2-INP 6XSON

功能描述

2-input NAND gate; open drain
IC GATE NAND OD 1CH 2-INP 6XSON

文件大小

261.209 Kbytes

页面数量

17

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-23 13:19:00

74LVC1G38GS规格书详情

1. General description

The 74LVC1G38 is a single 2-input NAND gate with open-drain output. Inputs can be driven from

either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of these devices as translators in mixed

3.3 V and 5 V environments.

Schmitt-trigger action at all inputs makes the circuit tolerant of slower input rise and fall times.

This device is fully specified for partial power down applications using IOFF. The IOFF circuitry

disables the output, preventing the potentially damaging backflow current through the device when

it is powered down.

2. Features and benefits

• Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V

• 5 V tolerant outputs for interfacing with 5 V logic

• High noise immunity

• ±24 mA output drive (VCC = 3.0 V)

• CMOS low power consumption

• Open drain outputs

• Direct interface with TTL levels

• Inputs accept voltages up to 5 V

• Latch-up performance exceeds 250 mA

• Complies with JEDEC standard:

• JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)

• JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)

• JESD8-B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V).

• ESD protection:

• HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V

• MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

• Multiple package options

• Specified from -40 °C to +125 °C.

74LVC1G38GS属于集成电路(IC) > 门和反相器。安世半导体(中国)有限公司制造生产的74LVC1G38GS门和反相器逻辑栅极和逆变器系列中的产品对单个逻辑信号执行基本逻辑运算(例如 AND、NOT、OR 等)。与触发器不同,它们不能够存储信息,不会对提供给其输入的信号立即做出响应。虽然早就被集成电路实施形式所取代,以用于实现复杂功能,但分立栅极仍可在仅需要非常简单逻辑功能的情况下使用。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    74LVC1G38GS,132

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 门和反相器

  • 系列:

    74LVC

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 逻辑类型:

    与非门

  • 输入数:

    2

  • 特性:

    开路漏极

  • 电压 - 供电:

    1.65V ~ 5.5V

  • 电流 - 输出高、低:

    -,32mA

  • 逻辑电平 - 低:

    0.7V ~ 0.8V

  • 逻辑电平 - 高:

    1.7V ~ 2V

  • 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟:

    3.9ns @ 5V,50pF

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    6-XSON,SOT1202(1x1)

  • 封装/外壳:

    6-XFDFN

  • 描述:

    IC GATE NAND OD 1CH 2-INP 6XSON

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