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72V36100L6BBG	文件：310.35 Kbytes Page：48 Pages	3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II DESCRIPTION: The IDT72V36100/72V36110 are exceptionally deep, high speed, CMOS First-In-First-Out (FIFO) memories with clocked read and write controls and a flexible Bus-Matching x36/x18/x9 data flow. These FIFOs offer several key user benefits: • Flexible x36/x18/x9 Bus-Matching on both read an 文件：310.35 Kbytes 页数：48 Pages	IDT	IDT
72V36100L6BBG8	文件：310.35 Kbytes Page：48 Pages	3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II DESCRIPTION: The IDT72V36100/72V36110 are exceptionally deep, high speed, CMOS First-In-First-Out (FIFO) memories with clocked read and write controls and a flexible Bus-Matching x36/x18/x9 data flow. These FIFOs offer several key user benefits: • Flexible x36/x18/x9 Bus-Matching on both read an 文件：310.35 Kbytes 页数：48 Pages	IDT	IDT
72V36100L6BBGI	文件：310.35 Kbytes Page：48 Pages	3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II DESCRIPTION: The IDT72V36100/72V36110 are exceptionally deep, high speed, CMOS First-In-First-Out (FIFO) memories with clocked read and write controls and a flexible Bus-Matching x36/x18/x9 data flow. These FIFOs offer several key user benefits: • Flexible x36/x18/x9 Bus-Matching on both read an 文件：310.35 Kbytes 页数：48 Pages	IDT	IDT
72V36100L6BBGI8	文件：310.35 Kbytes Page：48 Pages	3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II DESCRIPTION: The IDT72V36100/72V36110 are exceptionally deep, high speed, CMOS First-In-First-Out (FIFO) memories with clocked read and write controls and a flexible Bus-Matching x36/x18/x9 data flow. These FIFOs offer several key user benefits: • Flexible x36/x18/x9 Bus-Matching on both read an 文件：310.35 Kbytes 页数：48 Pages	IDT	IDT

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